Лави́нний діо́д — напівпровідниковий діод, різновид стабілітрона, зазвичай виготовляється з кремнію, робота якого заснована на оборотному лавинному пробої p-n переходу при зворотному включенні, тобто при подачі на шар напівпровідника з p-типом провідності (аноду) негативного щодо n-шару (катоду) напруги.

Лавинний пробій виникає при напруженості електричного поля в p-n переході, достатньої для ударної іонізації, при якій носії заряду, прискорені полем в переході генерують пари електрон-дірка. При збільшенні поля кількість породжених пар збільшується, що викликає збільшення струму, тому напруга на діоді залишається практично постійною.

Напруга пробою залежить від ступеня легування напівпровідника, чим слабкіше легування, тим більша напруга початку пробою (тобто стабілізації, для стабілітронів).

Застосовується в електроніці як стабілітрони. Також застосовуються для захисту електричних ланцюгів від перенапруг. Захисні лавинні діоди конструюють так, щоб виключити концентрацію (шнурування) струму в одній або декількох точках p-n переходу, що приводить до локального перегріву напівпровідникової структури, для уникнення незворотного руйнування діода. Діоди, призначені для захисту від перенапруги, часто називають супрессорами.

Лавинний механізм зворотного пробою використовується також в лавинних фотодіодах і діодних генераторах шуму.

• Стабілітрон
• Лавинно-пролітний діод

• Кукарин С. В. Электронные СВЧ приборы : Характеристики, применение, тенденции развития. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Радио и связь, 1981. — 272 с.
• Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко. — М. : Энергия, 1973. — 656 с.
• Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. — М. : Энергоатомиздат, 1990. — 576 с. — ISBN 5-283-00554-2.