LPDDR — тип оперативної пам'яті для смартфонів і планшетів. Відомий також під назвами mDDR, Low Power DDR. Підтримуються пристрої з стандартом JEDEC 209^[1]

Оригінальна LPDDR (LPDDR1) — це модифікація пам'яті DDR SDRAM c деякими змінами для зниження енергоспоживання. Найважливіша зміна — зниження напруги живлення з 2,5 до 1,8 V. Додаткова економія здійснюється за рахунок збільшення часу оновлення при низькій температурі (DRAM рідше оновлюється при низьких температурах), частковий блок самооновлення і режим «Глибокий сон» (deep power down), який стирає з пам'яті абсолютно все. Плюс до всього, мікросхеми дуже маленького розміру і, відповідно, займають менше місця на платі, ніж їхні комп'ютерні аналоги. Samsung і Micron є провідними виробниками та постачальниками цього типу пам'яті. LPDDR використовується на таких планшетах, як Apple iPad, Samsung Galaxy Tab і в телефоні Motorola Droid X.

Цей розділ потрібно повністю переписати відповідно до стандартів якості Вікіпедії. Ви можете допомогти, переробивши його. Можливо, сторінка обговорення містить зауваження щодо потрібних змін.

Новий стандарт JEDEC JESD209-2E перероблений для інтерфейсів DDR з низьким енергоспоживанням. Він несумісний з DDR і DDR2 SDRAM. Може використовуватися в наступних інтерфейсах :

• LPDDR2 — S2: 2n пам'ять з передвибіркою (DDR1) ;
• LPDDR2 -S4 : 4n пам'ять з передвибіркою (DDR2) ;
• LPDDR2 — N: НЕРУЙНІВНА (NAND flash) пам'ять .

LPDDR2 схожа на стандартну LPDDR, але з деякими змінами в блоці перезарядки.

Таймінги задаються для LPDDR — 200 LPDDR — 1066 (тактова частота від 100 до 533 МГц).

Робота з 1,2 В LPDDR2 мультиплексує управління по адресній лінії 10-бітної двохтактної шини передачі даних CA. Команди аналогічні до команд комп'ютерних модулів SDRAM за винятком перерозподілу попереднього заряду і кодів операції запобігання загорянь.

У травні 2012^[2] JEDEC опублікував стандарт JESD209 — 3 «Low Power Memory Device Standard»^[3]. У порівнянні з LPDDR2 в LPDDR3 пропонується вища швидкість обміну даними, збільшено енергоефективність щільність пам'яті. Пам'ять LPDDR3 може працювати на швидкостях до 1600 MT/s (мільйонів передач в секунду) і використовує такі нові технології як: write — leveling, command / address training,^[4] опційне внутрішньосхемне переривання (optional on — die termination, ODT), а також має низьку ємність контактів введення-виведення. LPDDR3 використовують як в мікрозбірках package — on — package (PoP), так і в окремих мікросхемах пам'яті.

Кодування команд ідентично LPDDR2, вони передаються по 10 — бітовій шині CA з подвоєнням частоти проходження даних (double data rate)^[3]. Однак стандарт містить опис тільки DRAM типу 8n — prefetch, і не описує команди управління для флеш-пам'яті.

Samsung прогнозував, що LPDDR3 дебютує в 2013 році з частотами 800 МГц (1600 MT/s), надаючи пропускну здатність порівнянну (без урахування багатоканальності) з пам'яттю PC3- 12800 SODIMM 2011 (12,8 ГБ/с)^[5]. Масовий випуск 3-гігабайтної LPDDR3 компанією Samsung Electronics був оголошено 24 липня 2013 року.

Такий тип пам'яті використовується, наприклад, в телефоні Samsung Galaxy S4^[6].

• Micron
• Elpida
• Nanya [Архівовано 21 жовтня 2014 у Wayback Machine.]
• Samsung [Архівовано 14 січня 2014 у Wayback Machine.]
• JEDEC pages: LOW POWER DOUBLE DATA RATE 3 SDRAM (LPDDR3) [Архівовано 22 лютого 2014 у Wayback Machine.]

Це незавершена стаття про інформаційні технології. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.